ખૂબ ઝડપથી ગતિ કરતા ઇલેક્ટ્રોન $(v \approx c)$ ની તરંગલંબાઈ કેટલી છે?

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈના $X$-કિરણો એક પ્રકાશસંવેદનશીલ ધાતુની સપાટી પર પડે છે,ત્યારે તે ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ કેટલી હશે? (સપાટીના વર્ક ફંક્શનને અવગણો,$m$ એ ઇલેક્ટ્રોનનું દળ છે,$h$ એ પ્લાન્કનો અચળાંક છે,$c$ એ પ્રકાશનો વેગ છે.)

વેગ સાથે દળમાં થતા ફેરફારને અવગણતા,$E$ ગતિઊર્જા ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોન સાથે સંકળાયેલી તરંગલંબાઈ કોના પ્રમાણમાં હોય છે?

જો ઇલેક્ટ્રોનનું વેગમાન $\Delta P$ જેટલું બદલાય,તો તેની સાથે સંકળાયેલી દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈમાં $0.5\%$ નો ફેરફાર થાય છે. તો ઇલેક્ટ્રોનનું પ્રારંભિક વેગમાન કેટલું હશે?

ઇલેક્ટ્રોન માઇક્રોસ્કોપમાં, પ્રાપ્ત કરી શકાય તેવું રિઝોલ્યુશન વપરાયેલ ઇલેક્ટ્રોનની તરંગલંબાઇના ક્રમનું હોય છે। $7.5 \times 10^{-12} \ m$ ની પહોળાઈને રિઝોલ્વ કરવા માટે, જરૂરી લઘુત્તમ ઇલેક્ટ્રોન ઉર્જા ............. $keV$ ની નજીક છે।

$M$ દળ ધરાવતો એક સ્થિર પદાર્થ બે ટુકડાઓમાં વિભાજિત થાય છે,જેમના દળ $m_1$ અને $m_2$ છે. તેમની દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈનો ગુણોત્તર ${\lambda _1}/{\lambda _2}$ કેટલો થશે?